المنهجية المتبعة لمنحنى النمو المطبقة على خطوط الرنين للنحاس عند 324.7 و 327.4 نانومتر باستخدام قياسات الامتصاص الذري (مجلة الباحث الجامعي للعلوم الانسانية, 2024)
#تمت دراسة منحنيات النمو (COGs) لخطين من خطوط الرنين للنحاس، حيث يحتويان على مستويات مثارة 4p2P32 و 4pP2 بأطوال موجية 324.7 و 327.4 نانومتر على التوالي، والتي تنبعث من لمبة نحاسية فارغة الكاثود على أساس طيفية الامتصاص الذري. تم البحث في منحنيات النمو التجريبية من خلال قياس الامتصاصية، حيث يتم تسجيل الامتصاصية A = log I 0 I لكل خط في نطاق واسع من التراكيز (1-1000 جزء في المليون). يتم حساب الامتصاصية الكلية A بناءً على أشكال خطية طيفية لورنتز. يتم أيضًا توفير الرسوم البيانية للعمق البصري T مع كثافة عدد الذرات الحرة في الحالة الأساسية N (سم³). تمت مقارنة النتائج المحصلة مع تلك التي تم الإبلاغ عنها سابقًا.